高频高速覆铜板：决定AI算力上限的“地基”材料

在AI服务器的高速互连层叠里，常被忽视的其实是一块厚约0.2 mm、介电常数仅为3.5的覆铜板——它是把数千亿次算力堆叠起来的“地基”。如果把GPU算子比作摩天大楼的钢梁，那么覆铜板就是那块必须稳固的混凝土；一旦介质损耗上升，信号在数十厘米的走线中就会被“吃掉”，导致带宽瓶颈提前出现。

高频高速覆铜板的技术要点

从材料配方看，核心是低损耗环氧树脂或双酰亚胺树脂。10 GHz时的损耗正切（tan δ）若能压到0.0015以下，信号完整性即可保持在99.9%；而热膨胀系数（CTE）控制在16 ppm/℃以内，则在‑40℃到+85℃的温度波动中，铜层与基体的应力匹配不致产生微裂纹。

• 介电常数（Dk）< 4，确保高速信号的阻抗一致。




• 损耗正切（tan δ）< 0.0015，降低信号衰减。




• 玻璃转变温度（Tg）> 190 ℃，满足焊接与热循环需求。




• 热膨胀系数（CTE）< 16 ppm/℃，兼容铜箔与电子布。

AI算力瓶颈的材料根源

以NVIDIA H100为例，内部的NVLink互连要求每根通道提供400 Gbps的带宽；若使用传统Dk≈4.5、tan δ≈0.003的覆铜板，实际可用带宽仅能达到约350 Gbps，算力提升受限于“信号拥堵”。某国内数据中心在2023年换装了生益科技的双酰亚胺高频覆铜板后，测得链路延迟从12 ns降至9 ns，等效算力提升约12%。这不是偶然，而是材料本身在高频段的损耗被压低所致。

从产业链视角观察，2024年全球高频高速覆铜板市场规模约12 亿美元，年复合增长率8%。国内企业生益科技、华正新材正通过提升树脂纯度、引入球形硅微粉等方式，缩小与日系、欧美巨头的差距。与此同时，HVLP型铜箔的导电率提升也在同步推进，形成“铜‑树脂‑玻纤”三位一体的高频生态。

说白了，AI算力的天花板并非只靠算法和芯片的迭代，底层的覆铜板材料同样决定了信号能否在千兆级别的高速通道里“畅通无阻”。如果把材料研发比作“地基工程”，那么每一次介电损耗的微调，都像是给未来的算力大厦打下更坚实的基石……